SI4421DY-T1-E3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 10A 8SO

НОВА часть #:

312-2263201-SI4421DY-T1-E3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI4421DY-T1-E3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 20 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI4421
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	10A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	800mV @ 850µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	125 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.5W (Ta)
Другие имена	SI4421DY-T1-E3DKR SI4421DYT1E3 SI4421DY-T1-E3TR SI4421DY-T1-E3CT