SI6423DQ-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP

НОВА часть #:

312-2263200-SI6423DQ-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI6423DQ-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 12 V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-TSSOP
Базовый номер продукта	SI6423
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	800mV @ 400µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	110 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	12 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.05W (Ta)
Другие имена	SI6423DQ-T1-GE3CT SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3 SI6423DQ-T1-GE3DKR