SIR876BDP-T1-RE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW

НОВА часть #:

312-2269370-SIR876BDP-T1-RE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIR876BDP-T1-RE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 13.6A (Ta), 51.4A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3040 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	5W (Ta), 71.4W (Tc)
Другие имена	742-SIR876BDP-T1-RE3CT 742-SIR876BDP-T1-RE3TR 742-SIR876BDP-T1-RE3DKR