IPD068N10N3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

НОВА часть #:

312-2282852-IPD068N10N3GATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPD068N10N3GATMA1

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Базовый номер продукта	IPD068
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	90A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4910 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	150W (Tc)
Другие имена	IPD068N10N3GATMA1TR SP001127816 IPD068N10N3GATMA1DKR IPD068N10N3GATMA1CT