ISP75DP06LMXTSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4

НОВА часть #:

312-2296110-ISP75DP06LMXTSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

ISP75DP06LMXTSA1

Стандартный пакет:

1,000

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 60 V 1.1A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223-4
Базовый номер продукта	ISP75DP06
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1.1A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 77µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	4 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	120 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Другие имена	2156-ISP75DP06LMXTSA1 SP004987274 ISP75DP06LMXTSA1-ND INFINFISP75DP06LMXTSA1 448-ISP75DP06LMXTSA1DKR 448-ISP75DP06LMXTSA1CT 448-ISP75DP06LMXTSA1TR