BSP322PH6327XTSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

НОВА часть #:

312-2263238-BSP322PH6327XTSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSP322PH6327XTSA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223-4
Базовый номер продукта	BSP322
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	SIPMOS®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 380µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	16.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	372 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.8W (Ta)
Другие имена	SP001058784 BSP322PH6327XTSA1CT BSP322PH6327XTSA1DKR BSP322PH6327XTSA1TR