IPB110N20N3LFATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

НОВА часть #:

312-2283614-IPB110N20N3LFATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPB110N20N3LFATMA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3
Базовый номер продукта	IPB110
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™ 3
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	88A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.2V @ 260µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	76 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	650 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	250W (Tc)
Другие имена	SP001503864 IPB110N20N3LFATMA1DKR IPB110N20N3LFATMA1TR IPB110N20N3LFATMA1CT IPB110N20N3LFATMA1-ND