Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
НОВА часть #:
312-2281553-TPH2900ENH,L1Q
Производитель:
Номер детали производителя:
TPH2900ENH,L1Q
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 200 V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Базовый номер продукта | TPH2900 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 33A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 16.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2200 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 78W (Tc) | |
| Другие имена | TPH2900ENHL1QTR TPH2900ENH,L1Q(M TPH2900ENHL1QDKR TPH2900ENHL1QCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIR610DP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC220N20NSFDATMA1Infineon Technologies
IPB110N20N3LFATMA1Infineon Technologies
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BSC350N20NSFDATMA1Infineon Technologies- BSC320N20NS3GATMA1Infineon Technologies
PA0184NLTPulse Electronics Power
SIDR610DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BAT760-7Diodes Incorporated
TPH6400ENH,L1QToshiba Semiconductor and Storage- SI7336ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
