Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
NTBG045N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
НОВА часть #:
312-2299404-NTBG045N065SC1
Производитель:
Номер детали производителя:
NTBG045N065SC1
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 650 V 62A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK-7 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 62A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V, 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 25A, 18V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.3V @ 8mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 105 nC @ 18 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| VGS (макс.) | +22V, -8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1890 pF @ 325 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 242W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NTBG045N065SC1DKR 488-NTBG045N065SC1TR 488-NTBG045N065SC1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTH4L015N065SC1onsemi
NTBG015N065SC1onsemi- NTH4L045N065SC1onsemi
SCT3030AW7TLRohm Semiconductor
