Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
ZXMN10A11GTA
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
НОВА часть #:
312-2287766-ZXMN10A11GTA
Производитель:
Номер детали производителя:
ZXMN10A11GTA
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223-3 | |
| Базовый номер продукта | ZXMN10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.4 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 274 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta) | |
| Другие имена | ZXMN10A11GCT-NDR ZXMN10A11GDKR ZXMN10A11GDKRINACTIVE ZXMN10A11GDKR-ND ZXMN10A11GTR ZXMN10A11GTR-NDR Q3847650I ZXMN10A11GCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TSM950N10CW RPGTaiwan Semiconductor Corporation
BSP296NH6327XTSA1Infineon Technologies
STN2NF10STMicroelectronics
DMN10H220LE-13Diodes Incorporated- FQT7N10LTFonsemi
PHT6NQ10T,135Nexperia USA Inc.- ZXMN10A25GTADiodes Incorporated
- BSP373NH6327XTSA1Infineon Technologies
- ZVN4310GTADiodes Incorporated
- FQT7N10TFonsemi
