ZXMN10A25GTA

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

НОВА часть #:

312-2264389-ZXMN10A25GTA

Производитель:

Номер детали производителя:

ZXMN10A25GTA

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223-3
Базовый номер продукта	ZXMN10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	859 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta)
Другие имена	ZXMN10A25GTATR ZXMN10A25GCT-ND ZXMN10A25GTACTINACTIVE ZXMN10A25GTR-ND ZXMN10A25GTADKRINACTIVE ZXMN10A25GTATRINACTIVE ZXMN10A25GTR ZXMN10A25GTACT ZXMN10A25G ZXMN10A25GCT ZXMN10A25GDKR ZXMN10A25GTADKR ZXMN10A25GDKR-ND