TK65G10N1,RQ

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

НОВА часть #:

312-2303377-TK65G10N1,RQ

Производитель:

Номер детали производителя:

TK65G10N1,RQ

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount D2PAK

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D2PAK
Базовый номер продукта	TK65G10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	U-MOSVIII-H
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	65A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5400 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	156W (Tc)
Другие имена	TK65G10N1,RQ(S TK65G10N1RQCT TK65G10N1RQTR TK65G10N1RQDKR