FDB047N10

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

НОВА часть #:

312-2283356-FDB047N10

Производитель:

Номер детали производителя:

FDB047N10

Стандартный пакет:

800

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263)
Базовый номер продукта	FDB047
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	120A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	210 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	15265 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	375W (Tc)
Другие имена	FDB047N10DKR FDB047N10TR 2156-FDB047N10-OS FDB047N10CT FAIFSCFDB047N10