AIMW120R080M1XKSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

НОВА часть #:

312-2289925-AIMW120R080M1XKSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

AIMW120R080M1XKSA1

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 1200 V 33A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO247-3-41
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	33A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	104mOhm @ 13A, 15V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5.7V @ 5.6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	28 nC @ 15 V
Полевой транзистор	Depletion Mode
Пакет/кейс	TO-247-3
VGS (макс.)	+20V, -7V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1060 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	150W (Tc)
Другие имена	448-AIMW120R080M1XKSA1 SP004807194