Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
C2M0080120D
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
НОВА часть #:
312-2289949-C2M0080120D
Производитель:
Номер детали производителя:
C2M0080120D
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
| Базовый номер продукта | C2M0080120 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | C2M™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 36A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 5mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 62 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | +25V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 950 pF @ 1000 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 192W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LSIC1MO120E0080Littelfuse Inc.
NTHL020N120SC1onsemi
C4D20120DWolfspeed, Inc.
C3M0075120DWolfspeed, Inc.- C4D10120DWolfspeed, Inc.
G3R75MT12DGeneSiC Semiconductor- NVHL020N120SC1onsemi
- C2M0040120DWolfspeed, Inc.
MSC080SMA120BMicrochip Technology
G3R45MT17KGeneSiC Semiconductor- G3R160MT12DGeneSiC Semiconductor
