Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
НОВА часть #:
312-2304854-TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
P-Channel 60 V 50A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK+ | |
| Базовый номер продукта | TJ50S06 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVI | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 124 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | +10V, -20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6290 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 90W (Tc) | |
| Другие имена | TJ50S06M3L(T6L1NQ TJ50S06M3LT6L1NQ |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ATP304-TL-Honsemi
XC6119N26ANR-GTorex Semiconductor Ltd
SQD50P06-15L_GE3Vishay Siliconix
STD35P6LLF6STMicroelectronics
TJ60S06M3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and Storage- TJ60S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
RD3L07BATTL1Rohm Semiconductor- TJ50S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- SUD50P06-15-GE3Vishay Siliconix
- ATP113-TL-Honsemi
2SA1162-GR,LFToshiba Semiconductor and Storage- MCU60P06-TPMicro Commercial Co
