TJ60S06M3L(T6L1,NQ

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 60V 60A DPAK

НОВА часть #:

312-2303634-TJ60S06M3L(T6L1,NQ

Производитель:

Номер детали производителя:

TJ60S06M3L(T6L1,NQ

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DPAK+
Базовый номер продукта	TJ60S06
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	U-MOSVI
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	60A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	156 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	+10V, -20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	7760 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	100W (Tc)
Другие имена	TJ60S06M3L(T6L1NQ TJ60S06M3LT6L1NQ