Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
UF3C120150K4S
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
НОВА часть #:
312-2272452-UF3C120150K4S
Производитель:
Номер детали производителя:
UF3C120150K4S
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 18.4A (Tc) 166.7W (Tc) Through Hole TO-247-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | UnitedSiC | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-4 | |
| Базовый номер продукта | UF3C120150 | |
| Технологии | SiCFET (Cascode SiCJFET) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 12V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 12V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 10mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 25.7 nC @ 12 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-4 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 738 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 166.7W (Tc) | |
| Другие имена | 2312-UF3C120150K4S |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
UJ3D06516TSUnitedSiC
NTH4L160N120SC1onsemi
VIPER28LNSTMicroelectronics
UF3SC120009K4SUnitedSiC
UF3C120400K3SUnitedSiC
GB01SLT12-252GeneSiC Semiconductor
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon Technologies
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon Technologies
SCT3105KRC14Rohm Semiconductor
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon Technologies- NVH4L160N120SC1onsemi
