IPN50R2K0CEATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223

НОВА часть #:

312-2264934-IPN50R2K0CEATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPN50R2K0CEATMA1

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223-3
Базовый номер продукта	IPN50R2
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™ CE
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	6 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	500 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	124 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	5W (Tc)
Другие имена	SP001461194 IPN50R2K0CEATMA1-ND IPN50R2K0CEATMA1CT 2156-IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1TR IPN50R2K0CEATMA1DKR INFINFIPN50R2K0CEATMA1