IPN80R2K4P7ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223

НОВА часть #:

312-2263386-IPN80R2K4P7ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPN80R2K4P7ATMA1

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223
Базовый номер продукта	IPN80R2
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™ P7
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 40µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	800 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	150 pF @ 500 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	6.3W (Tc)
Другие имена	INFINFIPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1-ND IPN80R600P7 IPN80R2K4P7ATMA1CT 2156-IPN80R2K4P7ATMA1 SP001664994 IPN80R2K4P7ATMA1DKR IPN80R2K4P7ATMA1TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!