IPD30N08S2L21ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

НОВА часть #:

312-2282028-IPD30N08S2L21ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPD30N08S2L21ATMA1

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3-11
Базовый номер продукта	IPD30N08
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	30A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	75 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1650 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	136W (Tc)
Другие имена	IPD30N08S2L21 IPD30N08S2L21ATMA1TR SP000252170 IPD30N08S2L-21-ND IPD30N08S2L-21CT IFEINFIPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L-21 IPD30N08S2L21ATMA1DKR IPD30N08S2L-21TR-ND IPD30N08S2L21ATMA1CT IPD30N08S2L-21DKR IPD30N08S2L-21DKR-ND IPD30N08S2L-21CT-ND 2156-IPD30N08S2L21ATMA1