Альтиум Орел Оркад ПОДУШКИ Кикад 
TP65H035G4WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
НОВА часть #:
312-2263594-TP65H035G4WS
Производитель:
Номер детали производителя:
TP65H035G4WS
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
| Базовый номер продукта | TP65H035 | |
| Технологии | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 46.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.8V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 0 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1500 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 156W (Tc) | |
| Другие имена | 1707-TP65H035G4WS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TP65H035WSQATransphorm
TP65H015G5WSTransphorm
LMG3411R050RWHRTexas Instruments
GAN063-650WSAQNexperia USA Inc.
TP65H070LDGTransphorm- TP65H050WSTransphorm
TP90H050WSTransphorm
GAN041-650WSBQNexperia USA Inc.- TP65H035WSTransphorm
- TP65H300G4LSGTransphorm
