Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
НОВА часть #:
312-2263533-G3R75MT12D
Производитель:
Номер детали производителя:
G3R75MT12D
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 207W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
| Базовый номер продукта | G3R75 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | G3R™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 41A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.69V @ 7.5mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 54 nC @ 15 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±15V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1560 pF @ 800 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 207W (Tc) | |
| Другие имена | 1242-G3R75MT12D |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BA159GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes Division
C3M0075120DWolfspeed, Inc.
G3R75MT12KGeneSiC Semiconductor- G3R40MT12KGeneSiC Semiconductor
- C3M0040120DWolfspeed, Inc.
MSC080SMA120BMicrochip Technology
UJ3C120080K3SUnitedSiC
SN74LVC1G07DBVTTexas Instruments
NVHL160N120SC1onsemi
NTH4L040N120SC1onsemi
G3R160MT12DGeneSiC Semiconductor
