BSC100N10NSFGATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON

НОВА часть #:

312-2282428-BSC100N10NSFGATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSC100N10NSFGATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 11.4A (Ta), 90A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-1
Базовый номер продукта	BSC100
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	11.4A (Ta), 90A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 110µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2900 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	156W (Tc)
Другие имена	2156-BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSF G-ND BSC100N10NSFGATMA1DKR BSC100N10NSF GTR BSC100N10NSFGATMA1CT BSC100N10NSF GDKR BSC100N10NSF GTR-ND BSC100N10NSF GDKR-ND BSC100N10NSF GCT-ND BSC100N10NSF G SP000379595 BSC100N10NSFG BSC100N10NSFGATMA1TR BSC100N10NSF GCT IFEINFBSC100N10NSFGATMA1