SI4435FDY-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

НОВА часть #:

312-2282029-SI4435FDY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI4435FDY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

P-Channel 30 V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI4435
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen III
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	12.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1500 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	4.8W (Tc)
Другие имена	SI4435FDY-T1-GE3DKR SI4435FDY-T1-GE3TR SI4435FDY-T1-GE3CT SI4435FDY-T1-GE3-ND