SI4459BDY-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO

НОВА часть #:

312-2287834-SI4459BDY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI4459BDY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 30 V 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SO
Базовый номер продукта	SI4459
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	+20V, -16V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3490 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Другие имена	SI4459BDY-GE3 SI4459BDY-T1-GE3TR SI4459BDY-T1-GE3DKR SI4459BDY-T1-GE3CT