Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
Производитель | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Тип крепления | Surface Mount | |
Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
Базовый номер продукта | SI2329 | |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
Ряд | TrenchFET® | |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6A (Tc) | |
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.2V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.3A, 4.5V | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 800mV @ 250µA | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
Полевой транзистор | - | |
Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
VGS (макс.) | ±5V | |
Тип полевого транзистора | P-Channel | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 8 V | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1485 pF @ 4 V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Tc) | |
Другие имена | SI2329DS-T1-GE3-ND SI2329DS-T1-GE3CT SI2329DS-T1-GE3TR SI2329DS-T1-GE3DKR |
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.