Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SCT3030KLGC11
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
НОВА часть #:
312-2263153-SCT3030KLGC11
Производитель:
Номер детали производителя:
SCT3030KLGC11
Стандартный пакет:
450
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 72A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247N | |
| Базовый номер продукта | SCT3030 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 72A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 27A, 18V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.6V @ 13.3mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 131 nC @ 18 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | +22V, -4V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2222 pF @ 800 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 339W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SCT3022KLHRC11Rohm Semiconductor
LSIC1MO120E0080Littelfuse Inc.
C3M0021120KWolfspeed, Inc.
AIMW120R035M1HXKSA1Infineon Technologies
NTHL020N120SC1onsemi
MSC025SMA120B4Microchip Technology
SCT2080KECRohm Semiconductor
EPC2036EPC
SCT3040KRC14Rohm Semiconductor
G3R20MT12KGeneSiC Semiconductor- SCT3040KLHRC11Rohm Semiconductor
- SCT3030KLHRC11Rohm Semiconductor
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon Technologies- G3R40MT12KGeneSiC Semiconductor
- G3R45MT17KGeneSiC Semiconductor
