IPB032N10N5ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

НОВА часть #:

312-2277835-IPB032N10N5ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPB032N10N5ATMA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 166A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7
Базовый номер продукта	IPB032
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	166A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.8V @ 125µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	6970 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	187W (Tc)
Другие имена	IPB032N10N5ATMA1-ND IPB032N10N5ATMA1CT IPB032N10N5ATMA1TR IPB032N10N5ATMA1DKR SP001607808