SIR186LDP-T1-RE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

НОВА часть #:

312-2285666-SIR186LDP-T1-RE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIR186LDP-T1-RE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1980 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	5W (Ta), 57W (Tc)
Другие имена	742-SIR186LDP-T1-RE3CT 742-SIR186LDP-T1-RE3DKR 742-SIR186LDP-T1-RE3TR