SIJ186DP-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK

НОВА часть #:

312-2263327-SIJ186DP-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIJ186DP-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 23A (Ta), 79.4A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта	SIJ186
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	23A (Ta), 79.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1710 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	5W (Ta), 57W (Tc)
Другие имена	SIJ186DP-T1-GE3DKR SIJ186DP-T1-GE3CT SIJ186DP-T1-GE3TR