IRFHM3911TRPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN

НОВА часть #:

312-2285416-IRFHM3911TRPBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRFHM3911TRPBF

Стандартный пакет:

4,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 3.2A (Ta), 20A (Tc) 2.8W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3x3)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-PQFN (3x3)
Базовый номер продукта	IRFHM3911
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.2A (Ta), 20A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	760 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.8W (Ta), 29W (Tc)
Другие имена	IRFHM3911TRPBF-ND 448-IRFHM3911TRPBFDKR 448-IRFHM3911TRPBFTR SP001575850 448-IRFHM3911TRPBFCT