BSC196N10NSGATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON

НОВА часть #:

312-2263414-BSC196N10NSGATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSC196N10NSGATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-1
Базовый номер продукта	BSC196
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8.5A (Ta), 45A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 42µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2300 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	78W (Tc)
Другие имена	BSC196N10NSGATMA1TR BSC196N10NSGATMA1DKR SP000379604 BSC196N10NS GTR-ND BSC196N10NS GCT BSC196N10NS GDKR BSC196N10NS GDKR-ND BSC196N10NSG BSC196N10NS GCT-ND BSC196N10NSGATMA1CT BSC196N10NS G-ND BSC196N10NS G