SQJQ100E-T1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SQJQ100E-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

НОВА часть #:

312-2273678-SQJQ100E-T1_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQJQ100E-T1_GE3

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 40 V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 8 x 8
Базовый номер продукта	SQJQ100
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	200A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	165 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® 8 x 8
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	14780 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	150W (Tc)
Другие имена	SQJQ100E-T1_GE3TR SQJQ100E-T1_GE3DKR SQJQ100E-T1_GE3CT