Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SQJQ402E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
НОВА часть #:
312-2292610-SQJQ402E-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJQ402E-T1_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 40 V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Базовый номер продукта | SQJQ402 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 200A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 260 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 8 x 8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 13500 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | SQJQ402E-T1_GE3DKR SQJQ402E-T1_GE3CT SQJQ402E-T1_GE3-ND SQJQ402E-T1_GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQJQ100E-T1_GE3Vishay Siliconix
