SCT2H12NZGC11

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM

НОВА часть #:

312-2283619-SCT2H12NZGC11

Производитель:

Номер детали производителя:

SCT2H12NZGC11

Стандартный пакет:

450

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 1700 V 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-3PFM
Базовый номер продукта	SCT2H12
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 900µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-3PFM, SC-93-3
VGS (макс.)	+22V, -6V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1700 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	184 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	35W (Tc)