NSVMMUN2235LT1G

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
НОВА часть #:
304-2062535-NSVMMUN2235LT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NSVMMUN2235LT1G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
КатегорияТранзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно смещенные
Производительonsemi
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Базовый номер продукта NSVMMUN2235
РядAutomotive, AEC-Q101
Резистор - база (R1)2.2 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)47 kOhms
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ток — отсечка коллектора (макс.)500nA
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100 mA
Тип транзистораNPN - Pre-Biased
Мощность - Макс. 246 mW
Другие именаNSVMMUN2235LT1GOSCT
NSVMMUN2235LT1GOSTR
NSVMMUN2235LT1GOSDKR
2156-NSVMMUN2235LT1G-OS
ONSONSNSVMMUN2235LT1G
NSVMMUN2235LT1G-ND

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.