Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SQJ411EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2287896-SQJ411EP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJ411EP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
P-Channel 12 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SQJ411 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 9100 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 68W (Tc) | |
| Другие имена | SQJ411EP-T1_GE3DKR SQJ411EP-T1_GE3TR SQJ411EP-T1_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMG1013UWQ-7Diodes Incorporated
NTD4860NT4Gonsemi
SQ3461EV-T1_GE3Vishay Siliconix
A768MS337M1VLAS022KEMET
SQJ123ELP-T1_GE3Vishay Siliconix
PMEG60T20ELPXNexperia USA Inc.
