SIS407ADN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8

Número da pe?a NOVA:

312-2285641-SIS407ADN-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIS407ADN-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 20 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8
Número do produto base	SIS407
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	168 nC @ 8 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5875 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Outros nomes	SIS407ADN-T1-GE3DKR SIS407ADN-T1-GE3CT SIS407ADN-T1-GE3TR