SI1416EDH-T1-GE3

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MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363

Número da pe?a NOVA:

312-2282019-SI1416EDH-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI1416EDH-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 30 V 3.9A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SC-70-6
Número do produto base	SI1416
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	3.9A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Dissipação de energia (máx.)	2.8W (Tc)
Outros nomes	SI1416EDH-T1-GE3TR SI1416EDH-T1-GE3DKR SI1416EDH-T1-GE3-ND SI1416EDH-T1-GE3CT