SQJ464EP-T1

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SQJ464EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Número da pe?a NOVA:

312-2292216-SQJ464EP-T1_GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SQJ464EP-T1_GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 60 V 32A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8
Número do produto base	SQJ464
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	32A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2086 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.)	45W (Tc)
Outros nomes	SQJ464EP-T1_GE3CT SQJ464EP-T1_GE3DKR SQJ464EP-T1_GE3TR SQJ464EP-T1_GE3-ND