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N-Channel 60 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-5 | |
Número do produto base | BSC100 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | OptiMOS™ | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 50A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 50A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 23µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 30 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
Outros nomes | BSC100N06LS3 GTR SP000453664 BSC100N06LS3 G-ND BSC100N06LS3GATMA1DKR BSC100N06LS3GATMA1TR BSC100N06LS3 GDKR BSC100N06LS3 GCT BSC100N06LS3G BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC100N06LS3 G BSC100N06LS3 GCT-ND BSC100N06LS3 GTR-ND BSC100N06LS3 GDKR-ND BSC100N06LS3GATMA1CT BSC100N06LS3GATMA1DKR-NDTR-ND |
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