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N-Channel 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | ES6 | |
Número do produto base | SSM6K217 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | U-MOSVII-H | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 1A, 8V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1 nC @ 4.2 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | SOT-563, SOT-666 | |
Vgs (Máx.) | ±12V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 130 pF @ 10 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) | |
Outros nomes | SSM6K217FELFCT SSM6K217FE,LF(A SSM6K217FELFTR SSM6K217FELFDKR |
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