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N-Channel 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | 150°C | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23F | |
Número do produto base | SSM3K357 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | π-MOSV | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 650mA (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 150mA, 5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5 nC @ 5 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | SOT-23-3 Flat Leads | |
Vgs (Máx.) | ±12V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 12 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) | |
Outros nomes | SSM3K357RLFDKR SSM3K357RLFTR SSM3K357RLFCT |
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