IPD60R360PFD7SAUMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 650V 10A TO252-3

Número da pe?a NOVA:

312-2296522-IPD60R360PFD7SAUMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPD60R360PFD7SAUMA1

Embalagem padr?o:

2,500

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 650 V 10A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3-344
Número do produto base	IPD60R360
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™PFD7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 140µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.7 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	534 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	43W (Tc)
Outros nomes	448-IPD60R360PFD7SAUMA1DKR SP003965466 448-IPD60R360PFD7SAUMA1CT 448-IPD60R360PFD7SAUMA1TR