IPD65R190C7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3

Número da pe?a NOVA:

312-2290531-IPD65R190C7ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPD65R190C7ATMA1

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3
Número do produto base	IPD65R190
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™ C7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 290µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	72W (Tc)
Outros nomes	IPD65R190C7ATMA1DKR IPD65R190C7ATMA1TR SP000928648 IPD65R190C7ATMA1CT