SQM110P06-8M9L

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SQM110P06-8M9L_GE3

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Número da pe?a NOVA:

312-2288816-SQM110P06-8M9L_GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SQM110P06-8M9L_GE3

Embalagem padr?o:

800

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 60 V 110A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-263 (D²Pak)
Número do produto base	SQM110
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	200 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7450 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	230W (Tc)
Outros nomes	SQM110P06-8M9L_GE3-ND SQM110P06-8M9L_GE3TR SQM110P06-8M9L_GE3CT SQM110P06-8M9L_GE3DKR