NP50P06KDG-E1-AY

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MOSFET P-CH 60V 50A TO263

Número da pe?a NOVA:

312-2288706-NP50P06KDG-E1-AY

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

NP50P06KDG-E1-AY

Embalagem padr?o:

800

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 60 V 50A (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Renesas Electronics America Inc
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-263
Número do produto base	NP50P06
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5000 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta), 90W (Tc)
Outros nomes	559-NP50P06KDG-E1-AYCT 559-NP50P06KDG-E1-AYTR 559-NP50P06KDG-E1-AYDKR NP50P06KDG-E1-AY-ND -1161-NP50P06KDG-E1-AYCT