SI3127DV-T1-GE3

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MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP

Número da pe?a NOVA:

312-2282664-SI3127DV-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI3127DV-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 60 V 3.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	6-TSOP
Número do produto base	SI3127
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	3.5A (Ta), 13A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	89mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	833 pF @ 20 V
Dissipação de energia (máx.)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Outros nomes	SI3127DV-T1-GE3TR SI3127DV-T1-GE3DKR SI3127DV-T1-GE3CT