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RQ6L020SPTCR
MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Número da pe?a NOVA:
312-2282256-RQ6L020SPTCR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RQ6L020SPTCR
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
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P-Channel 60 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TSMT6 (SC-95) | |
| Número do produto base | RQ6L020 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta) | |
| Outros nomes | RQ6L020SPTCRTR RQ6L020SPTCRDKR RQ6L020SPTCRCT |
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